Рассмотрены микроструктура, оптические и электрические свойства, технологические аспекты получения пленок карбида кремния. Раскрыты особенности процессов формирования его автоэпитаксиальных слоев, влияние подложки на их оптические свойства, а также особенности влияния условий роста на процессы образования дефектов в гетероэпитаксиальных монокристаллических пленках. Описаны фотолюминенсценция, состав и микроструктура толстых пленок кубического карбида кремния.

Рассмотрены базовая конструкция и конструктивные особенности однопереходных солнечных элементов (СЭ) на основе арсенида галлия (АГ), технология их изготовления. Проанализирована возможность повышения эффективности и снижения стоимости СЭ на основе АГ за счет совершенствования конструкции и технологии их изготовления, а также за счет создания специальных типов СЭ. Применение концентраторов также позволяет существенно повысить эффективность СЭ из АГ. В настоящее время рекордные значения эффективности для однопереходных СЭ приближаются к 30 %, а для многопереходных СЭ на основе АГ - к 40 %. Повышенная радиационная стойкость и термическая стабильность СЭ на основе АГ обусловливает перспективность применения их также и в космосе.